美国亚利桑那大学宣布，与美国麻省理工学院（MIT）及日本物质和材料研究机构的研究人员一道，成功拍摄了石墨烯的清晰显微照片等。照片是在基板采用与石墨呈相同蜂窝结构的薄膜重叠形成的六方氮化硼（hBN）时拍摄的，为全球首次拍摄成功。关于该研究的详细论文已刊登在学术杂志《Nature Materials》上。
石墨烯具有多种出色特性。不过，在载流子迁移率等电特性方面显示高性能的大多是“无支持（free-standing）”状态下的测定值。无支持状态是指仅固定石墨烯薄膜的两端而其余大部分不与基板直接接触的状态。
而与Si基板和SiO2基板接触放置的石墨烯，其载流子迁移率在1万cm2/Vs左右，只有无支持状态下的几十分之一。这是将石墨烯应用于晶体管所需要解决的重要课题。
最近发现：如果选择hBN作为基板，就能够确保石墨烯比较高的特性。英国曼彻斯特大学教授康斯坦丁·诺沃肖罗夫（Konstantin Novoselov）在接受《日经电子》的采访时也表示“把石墨烯放在hBN基板上，传导长度要（比放在SiO2基板上）延长数倍”。
此次由亚利桑那大学教授Brian J. LeRoy的研究小组用扫描隧道显微镜（STM）仔细观察了hBN基板上的石墨烯。不仅成功拍摄到了清晰的照片，还得出了电子和空穴的迁移程度只有SiO2基板的约1/100、跟无支持状态下的石墨烯相当的结果。
目前已经知道，hBN不管层数和形状都具有5.5eV以上的带隙，事实上为绝缘体。根据此次的结果，有人还提出hBN能够用作石墨烯晶体管的绝缘层。
